过渡金属氧化物由于体系中存在部分填充的局域d或者f轨道,因此具有较强的电子关联效应
[1]。通过电子关联与体系晶体对称性、电子自旋、自旋轨道耦合效应等物理自由度的复杂耦合,过渡金属氧化物构建的表面、界面以及异质结体系通常可以表现出丰富而复杂的物理态
[2],包括:界面二维电子气
[3]、界面超导态
[4]、多铁性
[5]、以及奇异的磁结构
[6](例如斯格明子态等非线性拓扑磁结构)等。这些新奇的量子态的理论预测和实验观测为未来微尺度高性能氧化物电子器件的研发提供了一个丰富的材料体系。然而,氧化物低维薄膜体系的生长合成通常需要采取脉冲激光沉积、分子束外延、化学气相沉积等方法在基底材料上生长一定厚度的目标材料来实现。虽然这类方法在过去几十年间取得了巨大的成功,但基底材料的存在使目标材料体系的制备存在两个限制:其一,在基底材料上生长目标材料的原理为目标材料间形成稳定的化学键,这在一定程度上会带来界面原子交换、电荷转移、界面重构、轨道杂化等额外现象,因此,在制备超薄薄膜时,体系的物理与化学性质会受到这些现象的影响;其二,基底材料通常具有特定的晶格常数,而该常数通常与目标材料的晶格常数不相等,从而导致额外的应力效应,这在一定程度上会影响目标材料的电子及磁性结构。因此,寻找一种通用、高效的制备自支撑氧化物薄膜的方法是十分必要的。
在2016年,斯坦福大学H. Hwang教授的研究团队合成了一种化学式为Sr
3Al
2O
6[
Fig.1(a)]的铝酸锶氧化物
[7],该材料具有立方相结构,晶格常数与多种具有钙钛矿结构的过渡金属氧化物相近,因此可被用于制备稳定的异质结体系。同时,该材料中存在着大量与水分子极易产生静电相互作用的Sr—O键以及Al—O键,具有良好的水溶性,使得异质结中的Sr
3Al
2O
6层与水接触之后会发生溶解现象,从而得到自支撑的氧化物薄膜。然而,这类水解反应存在一定的缺陷:(1)该过程需要较长的溶解时间;(2)Sr
3Al
2O
6的赝立方实验晶格常数约为3.961Å,对目标氧化物薄膜的晶格常数选取具有一定的限制;(3)在准备过程中如若产生裂纹相等晶体缺陷,将影响体系的完整性、有效尺寸与性能。
为了改善这些缺陷,实验上分别采用脉冲激光沉积法和分子束外延法成功地制备了一种新型水溶性牺牲层材料
[8,9]:Sr
4Al
2O
7。Sr
4Al
2O
7为Sr
3Al
2O
6的同素异构体,相对于Sr
3Al
2O
6而言,Sr
4Al
2O
7具有较低的晶体对称性 [
Fig.1(b)],因而表现出更好的动力学和热稳定性;同时,Sr
4Al
2O
7的面内赝立方晶格常数约为3.896Å,更接近于具有ABO
3化学式的钙钛矿体系,有利于Sr
4Al
2O
7与ABO
3异质结体系的制备;此外,Sr
4Al
2O
7表现出了良好的“晶格弹性”,在同等应变程度下,该体系的内能增加较小 [
Fig.1(c)],可以将基底材料的晶格“完整”地传送给目标薄膜,有利于针对应变条件下的薄膜体系的研究。最后,密度泛函理论计算结果表明:Sr
4Al
2O
7与ABO
3异质结界面的成键能明显高于Sr
3Al
2O
6与ABO
3异质结界面,能有效促进原子级别完整界面的形成。基于以上优点,采用Sr
4Al
2O
7具作为水溶性牺牲层材料制备出的多种自支撑氧化物薄膜样品具有质量高、完整性强、样品尺寸大、与外延薄膜的物理和化学性质相匹配等优良特点。